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MGY20N120D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 28A
Ptot 174W
fT -
TJ -
MGY20N120D è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 28A, d´application: transistor di potenza (tipo universale), diodo integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per MGY20N120D
OEM:Motorola Sem... [piú]
Motorola Semiconductor Products Inc.
copertura:TOP-3L
scheda tecnica (jpg):-
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GN12030E


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GN12030E è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, d´application: stadi di potenza
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Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
Hitachi Ltd. Japan
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GT40T101,MGY25N120
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